Тестер напівпровідників на Atmega8




Тестер напівпровідників на AVR MK Atmega8. 

Тестер з високою точністю визначає цокольовку виводів і типи транзисторів, тірісторів, діодів, також визначає опір резисторів і ємність конденсаторів. Особливо зручний при визначенні smd компонентів. Дуже корисний і зручний в роботі.

Схема була скачана з ресурсу http://r-rl.ru/: 

1

Прошивка процесора під латинський LCD індикатор. Мікроконтролер Atmega8-16PU прошивався LPT-програматором, описаним в цьому проекті.

Печатна плата в програмі Sprint Layout розроблялась спеціально під готовий алюмінієвий корпус від аттенюатора: 

2

Плата виготовлялась методом ЛУТ на односторонньому фольгованому склотекстоліті, витравлювалась в розчині хлорного заліза. Готова плата: 

3

4

Корпус від аттенюатора був фрезерований під розміщення дисплея, кнопок і гнізда для вимірювання. Особлива подяка за допомогу з копусом і фрезерувальні роботи Віталію. 

5

6

Все в зборі: 

7

8

Панель тестера розроблялась в графічному редакторі і була роздрукована на самоклеючому фотопапері, потім заламінована і поклеєна на верхню панель.

11

Готовий тестер: 

9

Демонстрація його роботи на фото:

10

Типи вимірювальних елементів: 

(ім'я елемента - індикація на дисплеї): 
- NPN транзистори - на дисплеї "NPN" 
- PNP транзистори - на дисплеї "PNP" 
- N-канальні-збагачені MOSFET - на дисплеї "N-E-MOS" 
- P-канальні-збагачені MOSFET - на дисплеї "P-E-MOS" 
- N -канальні-збіднені MOSFET - на дисплеї "N-D-MOS" 
- P -канальні-збіднені MOSFET - на дисплеї "P-D-MOS" 
- N-канальні JFET - на дисплеї "N-JFET" 
- P-канальні JFET - на дисплеї "P-JFET" 
- Тірістори - на дисплеї "Tyrystor"  
- Сімістори - на дисплеї "Triak" 
- Діоди - на дисплеї "Diode" 
- Двухкатодні зборки діодів - на дисплеї "Double diode CK" 
- Двуханодні зборки діодів - на дисплеї "Double diode CA" 
- Два послідовно з'єднаних діоди - на дисплеї "2 diode series"  
- Діоди симетричні - на дисплеї "Diode symmetric"  
- Резистори - діапазон від 1 Ом до 10 МОм [Ом,KОм] 
- Конденсатори - діапазон від 0,2nF до 5000uF [nF, uF] 

Опис додаткових параметрів вимірювання 
- H21e (коефіцієнт підсиления по струму) - діапазон до 1000 
- (1-2-3) - послідовність підключених виводів елемента 
- Наявність елементів захисту - діода - "Символ діода" 
- Пряма напруга – Uf [mV] 
- Напруга відкривання (для MOSFET) - Vt [mV] 
- Ємність затвора (для MOSFET) - C= [nF]

 

Цей тестер не є високоточним приладом, а саме тестером для визначення радіоелементів, і в основному елементів SMD, і він не вимірює ємність і опір з високою точністю. Так само у нього можуть бути деякі проблеми.
Проблеми при визначенні звичайних польових транзисторів. Так як при більшості польових транзисторів сток і істок при вимірюванні мало чим відрізняються, або майже не відрізняються, вони можуть не бути розпізнані або розпізнані неправильно, але в принципі тип транзистора показується правильно в будь-якому випадку.
Проблеми так само можуть бути і при визначенні потужних тірісторів і сімісторов в наслідок того, що наявний струм при вимірюванні 7 мА - менше струму утримання тиристора.



Обновлен 04 мар 2015. Создан 20 фев 2015



  Комментарии       
Всего 1, последний 2 года назад
Сергій 05 мар 2015 ответить
Класний дизайн. Ніколи не любив робити корпус. Попробуй себе в ролі творця з нуля. Повір, що навіть від самих простих своїх конструкцій, отримаєш на порядок більше задоволення.
Имя или Email


При указании email на него будут отправляться ответы
Как имя будет использована первая часть email до @
Сам email нигде не отображается!
Зарегистрируйтесь, чтобы писать под своим ником
www.reliablecounter.com
chicago mastering service